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FCP20N60

FCP20N60
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Numéro d'article
FCP20N60
Les catégories
MOSFET
RoHS
Fiche technique
La description
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
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Caractéristiques

Les catégories
MOSFET
Channel Mode
Enhancement
Configuration
Single
Fall Time
65 ns
Forward Transconductance - Min
17 S
Height
16.3 mm
Id - Continuous Drain Current
20 A
Length
10.67 mm
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
Through Hole
Number of Channels
1 Channel
Package / Case
TO-220-3
Packaging
Tube
Pd - Power Dissipation
208 W
Product Type
MOSFET
Rds On - Drain-Source Resistance
190 mOhms
Rise Time
140 ns
Series
FCP20N60
Technology
SI
Transistor Polarity
N-Channel
Transistor Type
1 N-Channel
Type
MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time
230 ns
Typical Turn-On Delay Time
62 ns
Unit Weight
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
600 V
Vgs - Gate-Source Voltage
30 V
Width
4.7 mm

Catégorie de produits

Circuit Protection Circuit Protection 157,625 Des produits Connectors Connectors 2,137,436 Des produits Electromechanical Electromechanical 285,583 Des produits Embedded Solutions Embedded Solutions 103,645 Des produits Enclosures Enclosures 21,131 Des produits Engineering Development Tools Engineering Development Tools 46,355 Des produits Industrial Automation Industrial Automation 55,700 Des produits LED Lighting LED Lighting 67,469 Des produits Optoelectronics Optoelectronics 76,118 Des produits Passive Components Passive Components 2,029,037 Des produits Power Power 278,174 Des produits Semiconductors Semiconductors 575,056 Des produits Sensors Sensors 61,386 Des produits Test & Measurement Test & Measurement 20,391 Des produits

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